9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD54008S-E,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。PD54008S-E参考价格为101.8918美元。STMicroelectronics PD54008S-E封装/规格:FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10。您可以下载PD54008S-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,例如PD54008S-E价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
PD54008-E是RF MOSFET晶体管RF功率晶体管LDMOST塑料N Ch,包括PD54008-D系列,它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作,包装如数据表说明所示,用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管中,包装盒设计用于PowerSO-10RF(成型引线)以及Si技术,该设备也可以在500MHz增益下用作11.5dB。此外,输出功率为8 W,该器件提供73 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-65 C,工作频率为1 GHz,Vgs栅极-源极电压为+/-20 V,Id连续漏极电流为5 A,Vds漏极-源极击穿电压为25 V,并且晶体管极性是N沟道。
PD54008L-E是TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT,包括15 V Vgs栅极-源极电压,它们设计用于25 V Vds漏极-源极击穿电压,类型如数据表注释所示,用于RF功率MOSFET,提供晶体管极性特性,如N沟道,技术设计用于Si,以及PD54008L-E系列,该器件也可以用作26.7W Pd功耗。此外,包装为卷轴式,该器件采用PowerFLAT(5x5)封装盒,该器件的输出功率为8 W,工作频率为1 GHz,安装方式为SMD/SMT,其最低工作温度范围为-65 C,最大工作温度范围+150 C,Id连续漏电流为5 a,500 MHz时的增益为15 dB。
PD54008L,带有ST制造的电路图。PD54008R采用QFN封装,是IC芯片的一部分。