9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD55003S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD55003S参考价格为78.1406美元。STMicroelectronics PD55003S封装/规格：FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10。您可以下载PD55003S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD54R-823K是FIXED IND 82UH 580MA 600 MOHM，包括PD54R系列，它们设计用于与功率电感器产品一起工作，类型如数据表注释所示，用于线绕，提供胶带和卷轴（TR）等封装功能，安装样式设计用于SMD/SMT，以及580MA额定电流，该设备也可以用作SMD/SMT终端样式。此外，高度为4.5 mm，装置长度为5.7 mm，装置宽度为5.1 mm，包装箱为非标准型，工作温度范围为-55°C~125°C，安装类型为表面安装，尺寸尺寸为0.224“L x 0.201”W（5.70mm x 5.11mm），公差为±10%，最大高度为0.177英寸（4.50mm），屏蔽为非屏蔽，电感为82μH，直流电阻DCR为600 mOhm Max，材料芯为铁氧体，电流饱和为580mA，频率测试为1kHz，最大直流电流为580 mA，最大直流电阻为600 mOhm。
PD55003-E是TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件还可以用作31.7W Pd功耗。此外，封装为管式，该器件采用PowerSO-10RF（成型铅）封装盒，该器件输出功率为3 W，工作频率为1 GHz，安装方式为SMD/SMT，最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为2.5 a，500 MHz时增益为17 dB，并且正向跨导Min为1S。
PD55003L-E是TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT，在500 MHz增益下包括17 dB，设计用于2.5 a Id连续漏电流，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，安装方式设计用于SMD/SMT，以及1 GHz工作频率，该设备也可以用作3W输出功率。此外，封装外壳为PowerFLAT（5x5），器件采用卷筒封装，器件具有14W的Pd功耗，系列为PD55003L-E，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为15V。
PD55003是由ST制造的RF Mosfet LDMOS 12.5V 50mA 500MHz 17dB 3W 10 PowerSO。PD55003以so-10rf封装形式提供，是模块的一部分，并支持RF Mosfet NMOS 12.5V 50mA 500MHz 17 dB 3W 10PowerSO。
