9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD55003STR-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD55003STR-E参考价格为120.3176美元。STMicroelectronics PD55003STR-E封装/规格：FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10。您可以下载PD55003STR-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD55003-E是TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10，包括PD55003-E系列，它们设计用于RF功率MOSFET型，包装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管，包装盒设计用于PowerSO-10RF（成型引线）以及Si技术，该器件也可在500 MHz增益下使用17 dB。此外，输出功率为3 W，器件提供31.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，并且晶体管极性是N沟道，并且正向跨导Min是1S。
PD55003S-E是RF MOSFET晶体管功率R.F.，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及PD55003-E系列，该器件还可以用作31.7W Pd功耗。此外，封装为管式，该器件采用PowerSO-10RF（直引线）封装盒，该器件输出功率为3 W，工作频率为1 GHz，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-65 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为2.5 a，在500MHz时增益为17dB。
PD55003L-E是TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT，在500 MHz增益下包括17 dB，设计用于2.5 a Id连续漏电流，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，安装方式设计用于SMD/SMT，以及1 GHz工作频率，该设备也可以用作3W输出功率。此外，封装外壳为PowerFLAT（5x5），器件采用卷筒封装，器件具有14W的Pd功耗，系列为PD55003L-E，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为15V。
PD55003是由ST制造的RF Mosfet LDMOS 12.5V 50mA 500MHz 17dB 3W 10 PowerSO。PD55003以so-10rf封装形式提供，是模块的一部分，并支持RF Mosfet NMOS 12.5V 50mA 500MHz 17 dB 3W 10PowerSO。
