9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD55008，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD55008参考价格为641.678美元。STMicroelectronics PD55008封装/规格：FET RF 40V 500MHZ POWERFLAT。您可以下载PD55008英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如PD55008价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
现在这个模型已经过时了。9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如PD55008库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
PD55003S-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.，包括PD55003E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管，包装盒设计用于PowerSO-10RF（直引线），以及Si技术，该设备也可以在500MHz增益下用作17dB。此外，输出功率为3 W，器件提供31.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，并且晶体管极性是N沟道。
PD55003TR-E是IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于40 V Vds漏极-源极击穿电压，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及PD55003-E系列，该器件还可以用作31.7W Pd功耗。此外，包装为卷筒式，该设备采用PowerSO-10RF（成型引线）封装盒，该设备具有3 W的输出功率，工作频率为1 GHz，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-65 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为2.5 a，500 MHz时的增益为17 dB。
PD55003L-E是TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT，在500 MHz增益下包括17 dB，设计用于2.5 a Id连续漏电流，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，安装方式设计用于SMD/SMT，以及1 GHz工作频率，该设备也可以用作3W输出功率。此外，封装外壳为PowerFLAT（5x5），器件采用卷筒封装，器件具有14W的Pd功耗，系列为PD55003L-E，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为15V。
