9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD55008TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD55008TR参考价格为20.342232美元。STMicroelectronics PD55008TR封装/规格：FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10。您可以下载PD55008TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD55008L-E是RF MOSFET晶体管RF功率晶体管LDMOST系列N-Chan，包括PD55008L-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷盘，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerFLAT（5x5），以及Si技术，该设备也可以在500MHz增益下用作17dB。此外，输出功率为8 W，器件提供19.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，并且晶体管极性是N沟道。
PD55008S-E是TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于40 V Vds漏极-源极击穿电压，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供N沟道等晶体管极性特性，技术设计用于Si，以及PD55008系列，该器件也可以用作52.8W Pd功率耗散。此外，封装为管式，该器件采用PowerSO-10封装盒，该器件输出功率为8 W，工作频率为1 GHz，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-65 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为4 a，500 MHz时的增益为17 dB。
PD55008是由ST制造的RF Mosfet LDMOS 12.5V 150mA 500MHz 17dB 8W 10 PowerSO。PD55008以so-10rf封装形式提供，是模块的一部分，并支持RF Mosfet NMOS 12.5V 150 mA 500MHz 17dB8W 10 PowerO。
PD55008S带有ST/EDA/CAD模型。PD55008S采用so-10rf封装，是模块的一部分。
