9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD85006TR-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD85006TR-E参考价格为120.766美元。STMicroelectronics PD85006TR-E封装/规格：FET RF 40V 870MHZ POWERSO-10RF。您可以下载PD85006TR-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD85004是RF MOSFET晶体管RF PWR晶体管，包括PD85004系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.004603盎司，安装类型设计为适用于SMD/SMT，以及SOT-89封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，870 MHz时的增益为17 dB，该器件的输出功率为4 W，该器件具有6 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅源电压为15 V，Id连续漏电流为2 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，晶体管极性为N沟道。
PD85006L-E是RF功率MOSFET晶体管RF功率传输LDmoST塑料，包括15 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作20.8W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，设备采用PowerFLAT（5x5）封装盒，设备输出功率为6 W，工作频率为1 GHz，安装方式为SMD/SMT，最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为2 a，870 MHz时增益为15 dB。
PD85006-E是RF MOSFET晶体管RF功率晶体管LdmoST N-ch塑料，在870 MHz增益下包括15 dB，它们设计为在2 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，工作频率设计为1 GHz，以及6 W输出功率，该器件也可以用作PowerSO-10RF（成型铅）封装盒。此外，封装为Tube，该器件提供36.5W Pd功耗，该器件具有PD85006-E系列，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为15V。
