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MRF5S9080NBR1

  • 描述:晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 960兆赫 输出端功率: 80W 供应商设备包装: TO-272 WB-4
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥600.62473
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥600.62
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规格参数

  • 部件状态 过时的
  • 晶体管类别 LDMOS
  • 噪声系数 -
  • 额定电压 65 V
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 额定电流(单位:安培) -
  • 电流检测值 600 mA
  • 增益 18.5分贝
  • 频率 960兆赫
  • 电压检测值 26伏
  • 包装/外壳 至272BB
  • 供应商设备包装 TO-272 WB-4
  • 输出端功率 80W

MRF5S9080NBR1 产品详情

MRF5S9080NR1和MRF5S91080NBR1设计用于频率从869到960MHz的GSM和GSM EDGE基站应用。适用于TDMA、CDMA和多载波放大器应用

特色

    GSM应用
  • 典型GSM性能:VDD=26伏,IDQ=600 mA,Pout=80瓦CW,全频段(869–894 MHz或921–960 MHz)。功率增益:18.5 dB漏极效率:60%
  • GSM EDGE应用
  • 典型GSM EDGE性能:VDD=26伏,IDQ=550 mA,Pout=36瓦平均值,全频带(869–894 MHz或921–960 MHz)。功率增益:19 dB漏极效率:400 kHz偏置时42%的频谱再增长=–63 dBc 600 kHz偏置时的频谱再生长=–78 dBcEVM:2.5%rms
  • 能够处理10:1 VSWR,@26 Vdc,960 MHz,80 W CW输出功率
  • 用串联等效大信号阻抗参数表征
  • 内部匹配,便于使用
  • 最多32 VDD操作合格
  • 集成ESD保护
  • 200°C塑料包装
  • 符合RoHS
  • 在磁带和卷轴中。R1后缀=每44 mm,13英寸卷筒500个单位。
MRF5S9080NBR1所属分类:场效应射频晶体管,MRF5S9080NBR1 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MRF5S9080NBR1价格参考¥600.624725,你可以下载 MRF5S9080NBR1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MRF5S9080NBR1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

恩智浦 (NXP)

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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