特色
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GSM应用
- 典型GSM性能:VDD=26伏,IDQ=600 mA,Pout=80瓦CW,全频段(869–894 MHz或921–960 MHz)。功率增益:18.5 dB漏极效率:60% GSM EDGE应用
- 典型GSM EDGE性能:VDD=26伏,IDQ=550 mA,Pout=36瓦平均值,全频带(869–894 MHz或921–960 MHz)。功率增益:19 dB漏极效率:400 kHz偏置时42%的频谱再增长=–63 dBc 600 kHz偏置时的频谱再生长=–78 dBcEVM:2.5%rms
- 能够处理10:1 VSWR,@26 Vdc,960 MHz,80 W CW输出功率
- 用串联等效大信号阻抗参数表征
- 内部匹配,便于使用
- 最多32 VDD操作合格
- 集成ESD保护
- 200°C塑料包装
- 符合RoHS
- 在磁带和卷轴中。R1后缀=每44 mm,13英寸卷筒500个单位。