9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1563EDH-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1563EDH-T1-GE3参考价格为111.708美元。Vishay Siliconix SI1563EDH-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6。您可以下载SI1563EDH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如SI1563EDH-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI1563DH-T1-E3是MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR封装，数据表说明中显示了用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，该器件也可以用作N和P沟道FET型。此外，最大功率为570mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为1.13A、880mA，最大Id Vgs的Rds为280mOhm@1.13A、4.5V，Vgs最大Id为1V@100μa，栅极电荷Qg Vgs为2nC@4.5V。
SI1563DH-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6，包括1V@100μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC-70-6（SOT-363）供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如280mOhm@1.13A，4.5V，Power Max设计为570mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有2nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为1.13A，880mA。
SI1563EDH-T1-E3是MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6，包括1.13A、880mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于20V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如N和P通道，栅极电荷Qg Vgs设计用于1nC@4.5V，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，该器件采用Digi-ReelR封装，该器件的最大功率为570mW，Rds On Max Id Vgs为280mOhm@1.13A、4.5V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），Vgs th Max Id为1V@100μa。
