9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1970DH-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1970DH-T1-GE3参考价格为1.062美元。Vishay Siliconix SI1970DH-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6。您可以下载SI1970DH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1967DH-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI1903DL-T1-GE1中使用的零件别名，该SI1903DL-T1-GE3提供单位重量功能，例如0.000988盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为1.25W，晶体管类型为2 P通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为110pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.3A，最大Id Vgs的Rds为490 mOhm@910mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为4nC@8V，Pd功耗为1.25 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为1.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为490 mΩ，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为2.6 nC，并且正向跨导Min为2S。
SI1970DH-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6，包括1.6V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC-70-6（SOT-363）供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如225 mOhm@1.2A，4.5V，功率最大设计为1.25W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有95pF@15V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为3.8nC@10V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为1.3A。
SI1969DH-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI1969DH-E3采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
