9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3529DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3529DV-T1-GE3参考价格$2.442。Vishay Siliconix SI3529DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP。您可以下载SI3529DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3529DV-T1-E3是MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表说明中显示了用于SOT-23-6薄型TSOT-23-6的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-TSOP供应商设备封装，该器件也可以用作N和P沟道FET型。此外，功率最大值为1.4W，该器件提供40V漏极到源极电压Vdss，该器件具有205pF@20V的输入电容Cis Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.5A、1.95A，Rds On Max Id Vgs为125 mOhm@2.2A、10V，Vgs th Max Id为3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为7nC@10V。
SI3522V，带有SAK制造的用户指南。SI3522V采用TO-3PF封装，是IC芯片的一部分。
SI-3522V，电路图由SANKEN制造。SI-3522V采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
