9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3905DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3905DV-T1-E3参考价格为2.098美元。Vishay Siliconix SI3905DV-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP。您可以下载SI3905DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3900DV-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。SI3900DV-GE3提供单位重量功能，如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为双通道，FET类型为2N通道（双通道），最大功率为830mW，晶体管类型为2NN通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2A，最大Id Vgs上的Rds为125 mOhm@2.4A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为4nC@4.5V，Pd功耗为830 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为2 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为125 mΩ，晶体管极性为N沟道。
Si3905DV，带有GP/VISHAY制造的用户指南。Si3905DV在SOT23-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI3905DV-T1是由科信制造的Trans-MOSFET P-CH 8V 2.5A 6引脚TSOP T/R。SI3905DV-T1采用SOT163封装，是FET阵列的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH 8V 2.5A 6引脚TSOP T/R。
