9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3909DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3909DV-T1-GE3参考价格为0.902美元。Vishay Siliconix SI3909DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP。您可以下载SI3909DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3909DV-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，封装盒如数据表注释所示，用于SOT-23-6薄型TSOT-23-6，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-TSOP供应商设备封装，该器件也可以用作2P沟道（双）FET型。此外，最大功率为1.15W，器件提供20V漏极到源极电压Vdss，器件具有FET功能的逻辑电平门，最大Id Vgs上的Rds为200 mOhm@1.8A，4.5V，Vgs最大Id为500mV@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为4nC@4.5V。
SI3905DV-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP，包括450mV@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计为与6-TSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如125 mOhm@2.5A，4.5V，Power Max设计为1.15W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有6nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为8V。
SI3909DV-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 20V 1.8A 6引脚TSOP T/R。SI3909DV-T1采用SOT163封装，是FET阵列的一部分，支持Trans MOSFET P-CH 20V 1.8A 6引脚TSOP T/R。
