9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3981DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3981DV-T1-GE3参考价格为54.064美元。Vishay Siliconix SI3981DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP。您可以下载SI3981DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3973DV-T1-GE3是MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm@4.5V，包括卷筒包装，它们设计用于SI3973DV GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作2信道数信道。此外，该配置是双重的，该器件提供2 P沟道晶体管类型，该器件具有830 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，漏极-源极电阻Rds为87毫欧姆，晶体管极性为P沟道。
SI3981DV-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP，包括1.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与6-TSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如185 mOhm@1.9A，4.5V，Power Max设计为800mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为1.6A。
Si3981DV，电路图由Vishay制造。Si3981DV在TSOP-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
