9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3983DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3983DV-T1-GE3参考价格为0.932美元。Vishay Siliconix SI3983DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP。您可以下载SI3983DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si3983DV-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表说明中显示了用于SOT-23-6薄型TSOT-23-6的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-TSOP供应商设备封装，该器件也可以用作2P沟道（双）FET型。此外，最大功率为830mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.1A，最大Id Vgs的Rds为110 mOhm@2.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为7.5nC@4.5V。
SI3981DV-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP，包括1.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与6-TSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如185 mOhm@1.9A，4.5V，功率最大设计为800mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为1.6A。
SI3983DV-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP，包括2.1A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表说明中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在7.5nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为SOT-23-6薄型TSOT-23-6，器件采用Digi-ReelR封装，器件最大功率为830mW，Rds On Max Id Vgs为110 mOhm@2.5A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为6-TSOP，Vgs th Max Id为1.1V@250μa。
SI3981DV-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于表面安装安装型，数据表说明中显示了用于SOT-23-6薄型TSOT-23-6的封装情况，提供FET功能，如逻辑电平门，封装设计用于Digi-ReelR，以及800mW最大功率，该设备也可以用作6-TSOP供应商设备包。此外，栅极电荷Qg Vgs为5nC@4.5V，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），器件具有20V漏极到源极电压Vdss，FET类型为2 P通道（双），最大Id Vgs的Rds为185 mOhm@1.9A，4.5V，25°C的电流连续漏极Id为1.6A，Vgs最大Id为1.1V@250μa。
