9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3993DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3993DV-T1-GE3参考价格$18.21。Vishay Siliconix SI3993DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP。您可以下载SI3993DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3993CDV-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 P通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为210pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.9A，最大Id Vgs的Rds为111mOhm@2.5A，10V，Vgs的最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为8nC@10V，Pd功耗为1.15 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅-源极阈值电压为-3 V，Rds漏极源极电阻为133 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为3.1nC，正向跨导Min为4s，信道模式为增强。
SI3993DV-T1-E3是MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.000705 oz，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作2P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的6-TSOP，系列为TrenchFETR，上升时间为16ns，Rds On Max Id Vgs为133mOhm@2.2A，10V，Rds On Drain Source Resistance为133m欧姆，Power Max为830mW，Pd功耗为830 mW，部件别名为SI3993DV-T1，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为SOT-23-6薄型TSOT-23-6，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为1.8A，栅极电荷Qg Vgs为5nC@4.5V，FET类型为2P通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，下降时间为16ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为1.8A。配置为双通道，通道模式为增强型。
SI3993DV，带有VISHAY制造的电路图。SI3993DV在SOT-163封装中提供，是FET阵列的一部分。
