9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4230DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4230DY-T1-GE3参考价格为0.71美元。Vishay Siliconix SI4230DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC。您可以下载SI4230DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI4230DY-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
Si4228DY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。Si4228DY-GE3中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，最大功率为3.1W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为790pF@12.5V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs上的Rds为18 mOhm@7A，10V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@10V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Rds漏极源极电阻为15 mΩ，晶体管极性为N沟道。
SI4228DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO，包括1.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如18 mOhm@7A，10V，Power Max设计用于3.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有790pF@12.5V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@110V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id 25°C为8A。
Si4228DY，带有VISHAY制造的电路图。Si4228DY在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
