9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4539ADY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4539ADY-T1-GE3参考价格为0.828美元。Vishay Siliconix SI4539ADY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC。您可以下载SI4539ADY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4539ADY-T1-E3是MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，最大功率为1.1W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为4.4A、3.7A，最大Id Vgs的Rds为36 mOhm@5.9A、10V，Vgs最大Id为1V@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V。
Si4539ADY-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC，包括1V@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如36 mOhm@5.9A，10V，功率最大设计用于1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有20nC@10V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为4.4A、3.7A。
SI4539ADY，带有SI制造的电路图。SI4539ADY采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SI4539ADY-T1，具有由SILICONIX制造的EDA/CAD模型。SI4539ADY-T1采用SOIC8封装，是FET阵列的一部分。
