9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4622DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4622DY-T1-E3参考价格为1.462美元。Vishay Siliconix SI4622DY-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC。您可以下载SI4622DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4620DY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4620DY E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有2 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为35mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为16ns，沟道模式为增强。
Si4622DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于SkyFETR，TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如16 mOhm@9.6A，10V，Power Max设计为3.3W，3.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2458pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为60nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8A。
SI4620DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4620DY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI4621DY-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC。SI4621DY-T1-E3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC、P沟道20V 6.2A（Tc）2W（Ta）、3.1W（Tc）表面安装8-SO。
