9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4804BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4804BDY-T1-GE3参考价格$2.048。Vishay Siliconix SI4804BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC。您可以下载SI4804BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4804BDY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4804BDY-E3的零件别名，该SI4804BDY-E3提供单位重量功能，例如0.006596盎司，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，最大功率为1.1W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.7A，最大Id Vgs上的Rds为22mOhm@7.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@4.5V，Pd功耗为1.1W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为22 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为9ns，信道模式为增强。
Si4804BDY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如22 mOhm@7.5A，10V，功率最大设计为1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有11nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为5.7A。
SI4804BDY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI4804BDY-T1在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI4804BDY-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4804BDY-T1-E3。见SOP-8。封装，是IC芯片的一部分。
