9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4814BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4814BDY-T1-GE3参考价格为0.892美元。Vishay Siliconix SI4814BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC。您可以下载SI4814BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4814BDY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC，包括LITTLE FOOTR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4814BDY-E3的零件别名，该SI4814BDY-E3提供单位重量功能，例如0.006596盎司，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ（半桥），功率最大值为3.3W、3.5W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为10A、10.5A，最大Id Vgs为18 mOhm@10A、10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@4.5V，Pd功耗为1.9 W 2 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为11 ns 13 ns，上升时间为11纳秒13 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为18 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns 27ns，典型接通延迟时间为8ns 9ns，信道模式为增强。
SI4814，带有VISHAY制造的用户指南。SI4814在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI4814BDY，带有VISHAY制造的电路图。SI4814BDY在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
