9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4834CDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4834CDY-T1-GE3参考价格$14.964。Vishay Siliconix SI4834CDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC。您可以下载SI4834CDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4834CDY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表中显示了用于SI4834CDY-E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，功率最大值为2.9W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为950pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs上的Rds为20 mOhm@8A，10V，Vgs最大Id为3V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@10V，Pd功耗为2 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为20 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns 18ns，典型接通延迟时间为17ns，信道模式为增强。
SI4834CDY，带有VISHAY制造的用户指南。SI4834CDY在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI4834CDY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI4834CDY-T1采用SO-8封装，是FET阵列的一部分。
