9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4908DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4908DY-T1-GE3参考价格为0.572美元。Vishay Siliconix SI4908DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC。您可以下载SI4908DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4908DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双通道）FET类型。此外，功率最大值为2.75W，器件提供40V漏极到源极电压Vdss，器件具有355pF@20V的输入电容Cis Vds，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5A，最大Id Vgs上的Rds为60 mOhm@4.1A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V。
SI4906DY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如39 mOhm@5A，10V，Power Max设计为3.1W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为625pF@20V，栅极电荷Qg-Vgs为22nC@110V，FET类型为2 N沟道（双），且FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为6.6A。
SI4908DY，带有VISHAY制造的电路图。SI4908DY在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
