9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4967DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4967DY-T1-E3参考价格为0.98美元。Vishay Siliconix SI4967DY-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC。您可以下载SI4967DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI4967DY-T1-E3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI4966DY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4966DY GE3的零件别名，该SI4966DY-GE3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为25 mOhm@7.1A，4.5V，Vgs th Max Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为50nC@4.5V，Pd功耗为2 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为40纳秒，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为7.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为25毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90纳秒，典型开启延迟时间为40ns，信道模式为增强。
SI4967DY是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 12V 7.5A 8引脚SOIC N。SI4967DY采用SOIC-8封装，是FET阵列的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH 12V 7.5A 8引脚SOIC N。
SI4967DY-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 12V 7.5A 8引脚SOIC N T/R。SI4967DY-T1采用SOP8封装，是FET阵列的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH 12V 7.5A 8引脚SOIC N T/R。
