9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5509DC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5509DC-T1-GE3参考价格为0.704美元。Vishay Siliconix SI5509DC-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8。您可以下载SI5509DC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI5509DC-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI5504DC-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表说明中显示了用于8-SMD、扁平引线的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及1206-8 ChipFET？供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，最大功率为1.1W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.9A、2.1A，最大Id Vgs的Rds为85 mOhm@2.9A、10V，Vgs最大Id为1V@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为7.5nC@10V。
SI5509DC-T1-E3是MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8，包括2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 ChipFET？供应商设备包系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如52 mOhm@5A，4.5V，功率最大值设计为4.5W，以及Digi-ReelR封装，该设备也可以用作8-SMD，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有455pF@10V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为6.6nC@5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为6.1A，4.8A。
SI5504DC-T1-E3是MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8，包括2.9A、2.1A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供N和P通道等FET类型特性，栅极电荷Qg Vgs设计用于7.5nC@10V，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，器件采用Digi-ReelR封装，器件的最大功率为1.1W，最大Id Vgs的Rds为85 mOhm@2.9A，10V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，Vgsth最大Id为1V@250μA（最小）。
