9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5513DC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5513DC-T1-GE3参考价格为1.706美元。Vishay Siliconix SI5513DC-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8。您可以下载SI5513DC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5513DC-T1-E3是MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作，数据表说明中显示了用于8-SMD、扁平引线的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计为表面安装，以及1206-8 ChipFET？供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，最大功率为1.1W，器件提供20V漏极到源极电压Vdss，器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.1A、2.1A，最大Id Vgs的Rds为75mOhm@3.1A、4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为6nC@4.5V。
SI5513DC和SI制造的用户指南。SI5513DC可在SOT23-8封装中获得，是FET阵列的一部分。
SI5513DC-T1是科信制造的Trans-MOSFET N/P-CH Si 20V 3.1A/2.1A 8引脚片式FET T/R。SI5513DC-T1采用CHIP8L封装，是FET阵列的一部分，支持Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 3.1A/2.1A 8引脚芯片FET T/R。
