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SI5905BDC-T1-E3是MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表说明中显示了用于8-SMD扁平引线的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及1206-8 ChipFET？供应商设备包，该设备也可以用作2 P通道（双）FET类型。此外，最大功率为3.1W，该器件提供8V漏极到源极电压Vdss，该器件具有350pF@4V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs上的Rds为80mOhm@3.3A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为11nC@8V。
SI5904DC-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 ChipFET？供应商器件封装系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如75 mOhm@3.1A，4.5V，功率最大值设计为1.1W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SMD，扁平引线封装外壳使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有6nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.1A。
SI5904DC-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8，包括3.1A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在6nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，器件采用Digi-ReelR封装，器件的最大功率为1.1W，最大Id Vgs的Rds为75mOhm@3.1A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，Vgsth最大Id为1.5V@250μA。
