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DMHC3025LSDQ-13

  • 描述:场效应管类型: 2个N和2个P通道(H桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 4.2A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
2500+ 2.92794 7319.85500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.92794
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7,319.86
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 高度(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO
  • 场效应管类型 2个N和2个P通道(H桥)
  • 最大功率 1.5瓦
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 25欧姆@5A,10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A, 4.2A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.7nC@10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 590皮法 @ 15V

DMHC3025LSDQ-13 产品详情

这一新一代互补MOSFET H桥具有低导通电阻,可通过低栅极驱动实现。

特色

  • SOIC封装中的2 x N+2 x P通道
  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速切换速度
  • 完全无铅且完全符合RoHS(注释1和2)
  • 无卤素和锑。“绿色”设备(注3)
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准

应用

  • 直流电机控制
  • DC-AC逆变器
DMHC3025LSDQ-13所属分类:场效应晶体管阵列,DMHC3025LSDQ-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMHC3025LSDQ-13价格参考¥2.927942,你可以下载 DMHC3025LSDQ-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMHC3025LSDQ-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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