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SI5908DC-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI5904DC-T1-GE3 SI5904DWF的零件别名，SI5904DC-T1-GE3 SI5904DFF提供单位重量功能，例如0.002998盎司，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.1W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.4A，最大Id Vgs上的Rds为40 mOhm@4.4A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7.5nC@4.5V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12ns，上升时间为36ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为5.9A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为1V，Rds漏极-源极电阻为40mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为5nC。
SI5908DC-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供单位重量功能，如0.002998盎司，典型开启延迟时间设计为20 ns，以及30 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件以TrenchFET商品名提供，器件具有Si of Technology，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，该系列为TrenchFETR，上升时间为36 ns，Rds On Max Id Vgs为40 mOhm@4.4A，4.5V，Rds On Drain Source电阻为40 mOhm，功率最大值为1.1W，Pd功耗为2.1W，零件别名为SI5908DC-E3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SMD，扁平引线，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，Id连续漏极电流为5.9 A，栅极电荷Qg Vgs为7.5nC@4.5V，FET类型为2 N通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，下降时间为36 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.4A，配置为双通道，通道模式为增强型。
SI5913DC-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8，包括增强通道模式，它们设计为使用肖特基二极管配置的单体工作，下降时间显示在数据表注释中，用于40 ns，提供Id连续漏极电流特性，如3.7 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用ChipFET-8封装盒，该器件具有一卷封装，部件别名为SI5913DC-E3，Pd功耗为1.3W，Rds漏极源极电阻为84mOhm，上升时间为40ns，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P信道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为18 ns，单位重量为0.002998oz，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为12V。
