9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5915BDC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5915BDC-T1-GE3参考价格为0.682美元。Vishay Siliconix SI5915BDC-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8。您可以下载SI5915BDC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5908DC-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI5904DC-T1-GE3 SI5904DWF的零件别名，SI5904DC-T1-GE3 SI5904DFF提供单位重量功能，例如0.002998盎司，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.1W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.4A，最大Id Vgs上的Rds为40 mOhm@4.4A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7.5nC@4.5V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12ns，上升时间为36ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为5.9A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为1V，Rds漏极-源极电阻为40mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为5nC。
SI5913DC-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为18 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以40 ns上升时间提供，器件具有84 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.3 W，零件别名为SI5913DC-E3，封装为卷轴，封装外壳为ChipFET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3.7A，下降时间为40ns，配置为单肖特基二极管，通道模式为增强型。
SI5915BDC-T1-E3是MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8，包括4A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为与8V漏极到源极电压Vdss一起工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在14nC@8V下工作，除了420pF@4V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SMD扁平引线封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），功率最大值为3.1W，Rds On Max Id Vgs为70 mOhm@3.3A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为1206-8 ChipFET？，Vgsth最大Id为1V@250μA。
