9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5935DC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5935DC-T1-GE3参考价格为86.874美元。Vishay Siliconix SI5935DC-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8。您可以下载SI5935DC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI5935CDC-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI5935CDC GE3 SIR814DP-T1-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.002998盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及8-SMD扁平引线封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为3.1W，晶体管类型为2 P-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为455pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs上的Rds为100 mOhm@3.1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@5V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为3.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为100 mOhms，并且晶体管极性是P沟道。
SI5935DC-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 ChipFET？供应商设备包系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如86 mOhm@3A，4.5V，功率最大值设计为1.1W，以及Digi-ReelR封装，该设备也可以用作8-SMD，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有8.5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3A。
SI5935CDC-TI-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SI5935CDC-TI-GE3在TSOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
