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DMT6018LDR-7
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DMT6018LDR-7

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta) 供应商设备包装: V-DFN3030-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
3000+ 2.97704 8931.14700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.97705
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8,931.15
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13.9nC@10V
  • 最大功率 1.9瓦
  • 导通电阻 Rds(ON) 17毫欧姆@8.2A,10V
  • 供应商设备包装 V-DFN3030-8
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8.8A (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 869皮法 @ 30V

DMT6018LDR-7 产品详情

DMT6018LDR-7所属分类:场效应晶体管阵列,DMT6018LDR-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMT6018LDR-7价格参考¥2.977049,你可以下载 DMT6018LDR-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMT6018LDR-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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