9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5943DU-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5943DU-T1-GE3参考价格为179.89美元。Vishay Siliconix SI5943DU-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK。您可以下载SI5943DU-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5936DU-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR ChipFET中工作？Dual以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR ChipFet双重供应商器件封装，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为10.4W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为320pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs的Rds为30 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@10V，Pd功耗为2.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为65ns，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型导通延迟时间为15 ns，Qg栅极电荷为11nC，并且前向跨导Min为11S，并且信道模式为增强。
SI5938DU-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR ChipFet双供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如39 mOhm@4.4A，4.5V，Power Max设计为8.3W，以及Digi-ReelR封装，该器件还可以用作PowerPAKR ChipFET？双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有520pF@10V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为16nC@8V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为6A。
SI5943DU-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK，包括6A电流连续漏极Id 25°C，设计用于12V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于15nC@8V，除了460pF@6V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用PowerPAKR ChipFET？双封装外壳，该设备具有Digi-ReelR封装，最大功率为8.3W，最大Id Vgs的Rds为64 mOhm@3.6A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为PowerPAKR ChipFet Dual，Vgs最大Id为1V@250μa。
