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SI5943DU-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表说明中显示了用于PowerPAKR ChipFET的封装盒？双重，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及PowerPAKR ChipFet双供应商器件包，该器件也可以用作2 P通道（双重）FET类型。此外，功率最大值为8.3W，该器件提供12V漏极到源极电压Vdss，该器件具有460pF@6V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为64mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@8V。
SI5944DU-T1-E3是MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR ChipFet双供应商器件封装一起工作，该系列在数据表说明中显示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如112 mOhm@3.3A，10V，Power Max设计为10W，以及Digi-ReelR封装，该器件还可以用作PowerPAKR ChipFET？双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有210pF@20V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为6.6nC@10V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为40V，25°C的电流连续漏极Id为6A。
SI5943DU-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK，包括6A电流连续漏极Id 25°C，设计用于12V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于15nC@8V，除了460pF@6V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用PowerPAKR ChipFET？双封装外壳，该设备具有Digi-ReelR封装，最大功率为8.3W，最大Id Vgs的Rds为64 mOhm@3.6A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为PowerPAKR ChipFet Dual，Vgs最大Id为1V@250μa。
