9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5975DC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5975DC-T1-GE3参考价格$1.3。Vishay Siliconix SI5975DC-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET。您可以下载SI5975DC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI5947DU-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET，包括TrenchFET系列，它们设计用于Digi-ReelR封装，数据表备注中显示了用于PowerPAKR CHIPFET的封装盒？双重，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及PowerPAKR ChipFet双供应商器件包，该器件也可以用作2 P通道（双重）FET类型。此外，功率最大值为10.4W，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有480pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为58mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@10V。
SI5975DC-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET，包括450mV@1mA（最小）Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 CHIPFET？供应商设备包系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如86 mOhm@3.1A，4.5V，功率最大值设计为1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-SMD，扁平引线封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有9nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，25°C的电流连续漏极Id为3.1A。
SI5975DC-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI5975DC-T1在SOT23-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
