G3R350MT12J

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
• 技术 SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
• 漏源电流 (Id) @ 温度 11A（Tc）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 15伏
• 导通电阻 Rds(ON) 420毫欧姆 @ 4A, 15V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.69V@2毫安
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC @ 15 V
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 334 pF @ 800 V
• 最大功耗 75W (Tc)
• 供应商设备包装 TO-263-7
• 包装/外壳 到263-8，DPak（7引线+接线片），TO-263CA