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IRFD014PBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.61613 2.61613
10+ 2.37784 23.77844
50+ 2.16200 108.10030
  • 库存: 2
  • 单价: ¥2.61614
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.62
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.7A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 200毫欧姆@1A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 310 pF @ 25 V
  • 最大功耗 1.3W(Ta)
  • 供应商设备包装 4-HVMDIP
  • 包装/外壳 4-DIP(0.300“,7.62毫米)

IRFD014PBF 产品详情

IRFD014PBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFD014PBF 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFD014PBF价格参考¥2.616135,你可以下载 IRFD014PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFD014PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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