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IRFB7446PBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 99W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.47731 3.47731
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 供应商设备包装 TO-220AB
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.3毫欧姆@70A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 100A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 93 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3183 pF @ 25 V
  • 最大功耗 99W(Tc)

IRFB7446PBF 产品详情

强IRFET™ 功率MOSFET,英飞凌

英飞凌的强IRFET该系列针对低R进行了优化DS公司(开)和高电流能力。该产品组合提供了改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性,非常适合于工业低频应用,包括电机驱动、电动工具、逆变器和电池管理,其中性能和耐用性至关重要。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 针对10 V栅极驱动电压(称为正常电平)进行了优化
  • 硅优化用于低于100 kHz的应用切换
  • 与上一代硅相比,更柔软的体二极管
  • 行业标准通孔电源组件
  • 高载流能力封装(高达195 A,取决于管芯尺寸)
  • 能够进行波峰焊接
IRFB7446PBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFB7446PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFB7446PBF价格参考¥3.477316,你可以下载 IRFB7446PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFB7446PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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