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G3R160MT12D

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 123W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 50.04843 50.04843
10+ 44.89149 448.91494
25+ 42.97067 1074.26692
100+ 40.22996 4022.99640
250+ 38.51803 9629.50800
500+ 38.51412 19257.06050
  • 库存: 513
  • 单价: ¥51.56945
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥50.05
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 22A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 192毫欧姆@10A,15V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.69V@5毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28 nC @ 15 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 730 pF @ 800 V
  • 最大功耗 123W(Tc)

G3R160MT12D 产品详情

G3R160MT12D所属分类:分立场效应晶体管 (FET),G3R160MT12D 由 基因半导体公司 (GeneSiC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。G3R160MT12D价格参考¥51.569448,你可以下载 G3R160MT12D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询G3R160MT12D规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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