该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
特色
- 雪崩加固技术
- 175冷却温度
- 100%雪崩测试
- 面向应用的特性
- 高dv/dt能力
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 11.87835 | 11.87835 |
10+ | 10.68327 | 106.83278 |
100+ | 8.58718 | 858.71820 |
500+ | 7.05487 | 3527.43700 |
1000+ | 6.41358 | 6413.58800 |
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该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
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