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STP20NF06L

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.87835 11.87835
10+ 10.68327 106.83278
100+ 8.58718 858.71820
500+ 7.05487 3527.43700
1000+ 6.41358 6413.58800
  • 库存: 1580
  • 单价: ¥10.64706
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.88
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 20A(Tc)
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 部件状态 上次购买
  • 导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 10A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±18V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 400 pF @ 25 V
  • 最大功耗 60W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 色彩/颜色 灰色

STP20NF06L 产品详情

该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。

特色

  • 雪崩加固技术
  • 175冷却温度
  • 100%雪崩测试
  • 面向应用的特性
  • 高dv/dt能力
STP20NF06L所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STP20NF06L 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STP20NF06L价格参考¥10.647063,你可以下载 STP20NF06L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STP20NF06L规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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