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IPA60R099C6是MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPA60R09986XK IPA60R0992C6XKSA1 SP000658000中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为35 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为37.9A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为99mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型导通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为119nC。
IPA50R950CE是MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS CE，该器件提供500 V Rds漏极-源极电阻，该器件具有10.5 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为26 W，零件别名为IPA50R950CEXKSA1 IPA50R950 CEXKSA2 SP001217236，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4.3 A，配置为单一。
带有电路图的IPA50R950CEXKSA2，包括TO-220-3封装盒，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPA50R950 CE SP001217236，提供Si等技术特性。
