9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF510SPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF510SPBF参考价格为1.56000美元。Vishay Siliconix IRF510SPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK。您可以下载IRF510SPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF510PBF是MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-220AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为43W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为180pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为540 mOhm@3.4A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.3nC@10V，Pd功耗为43 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.4 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5.6A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为540mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为6.9ns，沟道模式为增强。
IRF510N带有由IR制造的用户指南。IRF510N采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
IRF510S是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK。IRF510S有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 5.6B D2PAK、N沟道100V 5.6V（Tc）3.7W（Ta）、43W（Tc）表面安装D2PAK，Trans MOSFET N-CH200V 5.6A 3-Pin（2+Tab）D2PAK。
