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IPP200N25N3 G是MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP2000N25N3GXK IPP200N2 5N3GXKSA1 SP000677894中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为64A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为20mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为64nC，前向跨导Min为122 S 61 S。
IPP200N25N3是INFINEON制造的MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3。IPP200N25N3采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3。
IPP200N25N3G是INFINEO制造的MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3。IPP200N25N3G采用TO-220A封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3。
