9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD23202W10，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD23202W10参考价格为0.43000美元。德州仪器CSD23202W10封装/规格：MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA。您可以下载CSD23202W10英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如CSD23202W10价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
CSD22204WT是MOSFET 8-V P沟道NexFET功率MOSFET，包括CSD22204W系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于DSBGA-9以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.7 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2.29 us，上升时间为600 ns，Vgs栅极-源极电压为-6 V，Id连续漏极电流为-5 a，Vds漏极-源极击穿电压为-8V，Vgs栅极-源极阈值电压为-450mV，Rds漏极源极电阻为14mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为3.45us，典型开启延迟时间为58ns，Qg栅极电荷为18.9nC，正向跨导最小值为18S，沟道模式为增强。
CSD22204W是MOSFET 8-V P-Chan NexFET？Pwr MOSFET 9-DSBGA，包括-6 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-8 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于1 P沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如P沟道，技术设计用于Si，以及CSD22204W系列，该器件还可以用作漏极-源极电阻上的14mOhms Rds。此外，Pd功耗为1.7 W，该器件采用卷筒封装，该器件具有BGA-9封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为-5A。
CSD23201W10是由TI制造的MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA。CSD23201W1可提供4-UFBGA，DSBGA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH12V 2.2A 4 DSBGA，P通道12V 2.2A（Tc）1W（Ta）表面安装4-DSBGA（1x1）。
