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PSMN8R0-40BS，118是MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于D2PAK，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作86W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为40V，该器件提供1262pF@12V输入电容Cis Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为77A（Tc），最大Id Vgs的Rds为7.6mOhm@25A，10V，Vgs th最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN7R8-120XS。PSMN7R8-120XS采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
带有NXP制造的电路图的PSMN7RO-60YS。PSMN7RO-60YS采用SOT669封装，是IC芯片的一部分。
PSMN8R0-40PS是NXP制造的MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB。PSMN8R0-40PS在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB。
