9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD18534KCS，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD18534KCS价格参考1.60000美元。德州仪器CSD18534KCS封装/规格：MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3。您可以下载CSD18534KCS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD18533KCS是MOSFET 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT。。，包括CSD18533KCS系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为160 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.2 ns，上升时间为4.8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为114A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为9mm欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型导通延迟时间为5.7ns，Qg栅极电荷为28nC，正向跨导最小值为150S。
CSD18533Q5AT是MOSFET 60V N沟道NexFET功率MOSFET，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.000847 oz，典型开启延迟时间设计为5.2 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD18533Q5A，上升时间为5.5 ns，漏极-源极电阻Rds为8.5 mOhm，Qg栅极电荷为29 nC，Pd功耗为116 W，封装为卷轴，封装盒为VSON-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为103 A，下降时间为2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD18533Q5A是MOSFET N-CH 60V 17A 8SON，包括17A（Ta）、100A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了2750pF@30V输入电容Ciss Vds，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用8 PowerTDFN封装盒，该设备具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为3.2W，最大Id Vgs上的Rds为5.9 mOhm@18A，10V，系列为NexFET？，供应商设备包为8-SON（5x6），Vgs th Max Id为2.3V@250μA。
