特色
- 4.0V栅极驱动
- 低导通电阻
- 保护二极管输入
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用
CPH6350-TL-W
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.12845 | 4.12845 |
| 10+ | 3.36070 | 33.60706 |
| 100+ | 2.28948 | 228.94810 |
| 500+ | 1.71714 | 858.57350 |
| 1000+ | 1.28778 | 1287.78800 |
| 3000+ | 1.18052 | 3541.56000 |
| 6000+ | 1.13822 | 6829.33200 |
- 库存: 44931
- 单价: ¥4.12845
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.13
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 高度（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 场效应管类型 P-通道
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 SOT-23-6
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 43毫欧姆 @ 3A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 600 pF @ 10 V
- 最大功耗 1.6W（Ta）
- 供应商设备包装 6-CPH
CPH6350-TL-W 产品详情
CPH6350-P-TL-E是P沟道功率MOSFET，-30V，-6A，43mΩ，单CPH6，用于通用开关器件应用。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | CPH6350-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 6-CPH | ¥1.59344 |
 | CPH5902G-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN+FET 额定电压: 50V 额定电流（单位：安培）: 50毫安 供应商设备包装: 5-CPH 应用及使用: 放大器 | ¥1.44858 |
 | CPH5902H-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN+FET 额定电压: 50V 额定电流（单位：安培）: 150毫安 供应商设备包装: 5-CPH 应用及使用: 放大器 | ¥1.43801 |
| CPH3425-TL-E | 安盛美 (onsemi) | NCH 4V DRIVE SERIES | ¥1.05457 |
| CPHD912 | 9"X12" HD CHIPBOARD PADS, 640 PK | ¥0.00 | |
| CPHD4048 | HD CHIPBOARD PADS 40X48", 400 PK | ¥0.00 |
CPH6350-TL-W所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，CPH6350-TL-W 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。CPH6350-TL-W价格参考￥4.128453，你可以下载 CPH6350-TL-W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询CPH6350-TL-W规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
