- 应用范围：高速开关/电源管理开关
- 极性：N-ch
- 世代：U-MOSⅢ
- 内部连接：单个
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：日本
特色
- 装配底座：1.0 V
- 装配底座：145 mΩ
- 装配底座：101 mΩ
- 装配底座：85 mΩ
- 装配底座：270 pF
应用
高速开关/电源管理开关
SSM6K202FE,LF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.24119 | 3.24119 |
- 库存: 10
- 单价: ¥3.24120
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.24
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功耗 500mW (Ta)
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.3A（Ta）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4伏
- 导通电阻 Rds(ON) 85毫欧姆 @ 1.5A, 4V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 270 pF@10 V
- 供应商设备包装 ES6
- 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
SSM6K202FE,LF 产品详情
SSM6K202FE,LF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SSM1A112F7R | 西屋电气 (Westinghouse) | SOLID STATE RELAY SPST-NO 90-140 | ¥288.55714 |
| SSM1A312F7R | 西屋电气 (Westinghouse) | SOLID STATE RELAY SPST-NO 90-140 | ¥304.78123 |
| SSM 0018R | 欧姆龙 (Omron) | SUBMINIATURE BASIC SWITCH | ¥1.39119 |
| SSM00911500PC | 泰科航天 (TE) | SSM00911500PC = SOLDER CUP | ¥94.79508 |
| SSM01511500SC | 泰科航天 (TE) | SSM01511500SC = SOLDER CUP | ¥57.69694 |
| SSM01511500SCN | 泰科航天 (TE) | SSM01511500SCN = SOLDER CUP | ¥121.44895 |
| SSM02511500SCQ | 泰科航天 (TE) | SSM02511500SCQ = SOLDER CUP | ¥833.51293 |
| SSM03711500PC | 泰科航天 (TE) | SSM03711500PC = SOLDER CUP | ¥41.83499 |
| SSM00511500PCH | 泰科航天 (TE) | SSM00511500PCH = SOLDER CUP | ¥257.65893 |
 | SSM-103-L-DV-K-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 插座，穿过 接触头种类: Female Socket 针位数: 6 配接间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面处理: 金 安装类别: 表面安装 | ¥21.07684 |
SSM6K202FE,LF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SSM6K202FE,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SSM6K202FE,LF价格参考￥3.241198，你可以下载 SSM6K202FE,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SSM6K202FE,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
