SSM3K361TU,LF

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压标 (Vdss) 100伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A（Ta）
• 最大功耗 1.8W（Ta）
• 制造厂商 东芝 (Toshiba)
• 供应商设备包装 UFM
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@100A.
• 导通电阻 Rds(ON) 69毫欧姆 @ 2A, 10V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.2 nC @ 4.5 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 430 pF @ 15 V
• 工作温度 175摄氏度
• 包装/外壳 3-SMD，扁平引线