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RAF040P01TCL

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 P-通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 TUMT3
  • 包装/外壳 3-SMD,扁平引线
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
  • 最大功耗 800mW (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 4A, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 37 nC @ 4.5 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -8V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4000 pF @ 6 V

RAF040P01TCL 产品详情

P沟道MOSFET晶体管

特色

  • 低压(1.5V)驱动类型
  • Pch小信号MOSFET
  • 小型表面安装组件
  • 无铅/符合RoHS


RAF040P01TCL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RAF040P01TCL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RAF040P01TCL价格参考¥0.651861,你可以下载 RAF040P01TCL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RAF040P01TCL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

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