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RHP020N06T100

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: MPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.80975 0.80975
  • 库存: 495
  • 单价: ¥0.80976
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.81
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14 nC@10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 最大功耗 500mW (Ta)
  • 包装/外壳 至243AA
  • 导通电阻 Rds(ON) 200欧姆@2A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 140 pF@10 V
  • 供应商设备包装 MPT3

RHP020N06T100 产品详情

功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件,适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型,以满足市场上的各种需求。

特色

  • 4.V-驱动器类型
  • Nch中功率MOSFET
  • 快速切换速度
  • 小型表面安装组件
  • 无铅/符合RoHS


RHP020N06T100所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RHP020N06T100 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RHP020N06T100价格参考¥0.809756,你可以下载 RHP020N06T100中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RHP020N06T100规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

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